2022年底,歷經4個多月的嚴格現(xiàn)場測試和試用考核,集萃華科ZEUS-W300型半自動晶圓測量機順利通過廈門通富微電子有限公司最終驗收,設備完全滿足通富微電先進封測線磨劃制程對于晶圓關鍵參數(shù)的測量需求。
本次順利通過通富微電的高規(guī)格驗收,標志著集萃華科晶圓測量機已經具備國際領先水平的晶圓測量與校準能力,可以為客戶的研發(fā)與生產提供高品質、高可靠性的質量保障。
與此同時,集萃華科公司與長電微電子(江陰)有限公司簽訂半自動晶圓測量機供貨訂單。再次獲得封測巨頭青睞,標志著集萃華科晶圓測量機提供的標準化檢測、校準服務已獲得封測行業(yè)的一致認可,并為未來的發(fā)展與推廣奠定堅實基礎。
ZEUS系列晶圓測量機由集萃華科測量裝備事業(yè)部自主研發(fā),面向IC行業(yè)高精度光學三維形貌測量,已形成ZEUS-W300半自動、ZEUS-W300A全自動兩款產品,服務于化合物半導體、硅基器件前/后段、LED、光通訊等領域。
#ZEUS-W300半自動晶圓測量機
#ZEUS-W300A全自動晶圓測量機
產品功能說明 | ||
---|---|---|
ZEUS-W300 | ZEUS-W300A | |
主要功能: 用于晶圓厚度、TTV、Bow、Warp、RST、wafer上薄膜厚度、3D形貌、BUMP、關鍵尺寸、粗糙度等參數(shù)測量。 |
||
主要性能參數(shù): 測量行程:400mm(X)×400mm(Y)×30mm(Z); 可測圓片尺寸:50mm(2寸)至300mm(12寸); 可測圓片翹曲:翹曲15mm以內; 厚度測量范圍:50μm至24mm; 厚度測量精度:±0.5μm; 最大樣本傾斜率:25°; 可在一臺設備上搭配不同技術的測量探頭; 采用空氣懸浮臺,實現(xiàn)無振動測量。 |
||
特點 |
/ |
可搭載4個8/12寸片Load Port,或同時搭載兩個wafer robot實現(xiàn)60pcs/h的吞吐量,實現(xiàn)自動上下料。 |
自研測量軟件
(3)強大的白光干涉技術
應用白光干涉技術,獲取wafer表面的3D形貌、表面粗糙度、TSV等關鍵尺寸的相關數(shù)據(jù),可對各種產品、部件和材料表面的粗糙度、波紋度、面形輪廓、表面缺陷、磨損情況、腐蝕情況、孔隙間隙、臺階高度、加工情況等表面形貌特征進行測量和分析。以下圖片展示了該項技術在幾種不同材料上對不同參數(shù)進行測量的應用案例。
應用案例:半導體、拋光硅片、減薄硅片、晶圓IC